IL DIRETTORE Vista la delibera n. 225 del Consiglio di presidenza del 30 aprile 1998, con la quale e' stata emanata la "direttiva generale per la predisposizione dei bandi delle borse di studio a livello centrale e decentrato dell'Ente"; Visto il decreto del direttore dell'Istituto di elettronica dello stato solido n. 7/99, prot. MM/109/99 del 22 marzo 1999; Dispone: Art. 1. E' indetta una pubblica selezione per titoli, eventualmente integrata da colloquio, ad una borsa di studio per laureati, per studi e ricerche nel campo delle scienze fisiche da usufruirsi presso l'Istituto di elettronica dello stato solido - Via Cineto Romano 42 - 00156 Roma nell'ambito della seguente tematica: Analisi mediante simulazioni numeriche delle caratteristiche elettriche di transistor a film sottile di silicio policristallino con diverse architetture del contatto di drain; titolo di studio richiesto: laurea in fisica da usufruirsi secondo le specifiche indicate nell'"Allegato A" che costituisce parte integrante del presente bando. La borsa di studio dell'importo di L. 1.700.000 (unmilionesettecentomila) lorde mensili ha una durata massima di dodici mesi ed e' rinnovabile per la stessa durata.