IL DIRETTORE

    Vista  la  delibera  n. 225  del  Consiglio  di presidenza del 30
aprile 1998, con la quale e' stata emanata la "direttiva generale per
la predisposizione dei bandi delle borse di studio a livello centrale
e decentrato dell'Ente";
    Visto il decreto del direttore dell'Istituto di elettronica dello
stato solido n. 7/99, prot. MM/109/99 del 22 marzo 1999;

                              Dispone:

                               Art. 1.
    E'  indetta  una  pubblica  selezione  per  titoli, eventualmente
integrata  da  colloquio,  ad  una  borsa di studio per laureati, per
studi e ricerche nel campo delle scienze fisiche da usufruirsi presso
l'Istituto di elettronica dello stato solido - Via Cineto Romano 42 -
00156  Roma  nell'ambito  della  seguente  tematica: Analisi mediante
simulazioni  numeriche delle caratteristiche elettriche di transistor
a  film  sottile  di silicio policristallino con diverse architetture
del  contatto  di drain; titolo di studio richiesto: laurea in fisica
da  usufruirsi  secondo  le specifiche indicate nell'"Allegato A" che
costituisce parte integrante del presente bando.
    La    borsa    di    studio    dell'importo   di   L.   1.700.000
(unmilionesettecentomila)  lorde  mensili  ha  una  durata massima di
dodici mesi ed e' rinnovabile per la stessa durata.